SQS142ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS142ENW-T1_GE3

Datasheet

模拟与电源

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

在产PowerPAK® 1212-8SLW模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1952 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
最大功耗113W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8SLW
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8SLW

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)