SQS141ELNW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS141ELNW-T1_GE3

Datasheet

模拟与电源

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)

在产PowerPAK® 1212-8SLW模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7458 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C101A (Tc)
最大功耗192W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® 1212-8SLW
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8SLW

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)