SQJQ130EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ130EL-T1_GE3

Datasheet

模拟与电源

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

在产PowerPAK® 8 x 8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.52mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23345 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET® Gen IV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C445A (Tc)
最大功耗600W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101