SQJQ112E-T1_GE3

Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

在产PowerPAK® 8 x 8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.53mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15945 pF @ 25 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	296A (Tc)
最大功耗	600W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)