SQJA04EP-T1_GE3

Name: SQJA04EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500 pF @ 25 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
最大功耗	68W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)