SQJ560EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ560EP-T1_GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8

在产PowerPAK® SO-8 Dual模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
配置N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1650pF @ 25V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc), 18A (Tc)
Power - Max34W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
供应商器件封装PowerPAK® SO-8 Dual

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101