SQJ461EP-T2_GE3

Name: SQJ461EP-T2_GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 14.4A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4710 pF @ 30 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
最大功耗	83W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)