SQJ136ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ136ELP-T1_GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.12mOhm @ 15A, 10V
基础料号SQJ136
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8015 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350A (Tc)
最大功耗500W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
供应商器件封装PowerPAK® SO-8

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)