SQD40030E_GE3

Vishay Siliconix

SQD40030E_GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号SQD40030
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA

环境

工作温度175°C(TJ)