SQ3585EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3585EV-T1_GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
配置N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Power - Max1.67W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101