SQ3461EV-T1_BE3

Name: SQ3461EV-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 7.9A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 6 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)
最大功耗	5W (Tc)

封装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)