SQ2319ES-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ2319ES-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 3A, 10V
基础料号SQ2319
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds620 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Tc)

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)