SQ1539EH-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ1539EH-T1_GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6

在产PowerPAK® SC-70-6 Dual模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
基础料号SQ1539
配置N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds48pF @ 15V, 50pF @ 15V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C850mA (Tc)
Power - Max1.5W

机械

Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商器件封装PowerPAK® SC-70-6 Dual

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)