SIZF928DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZF928DT-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.45mOhm @ 10A, 10V, 750µOhm @ 15A, 10V
基础料号SIZF928
配置2 N-Channel (Dual)
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET® Gen IV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Power - Max3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-PowerPair® (6x5)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)