SIZ920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ920DT-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR

停产/老旧8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 18.9A, 10V
基础料号SIZ920
配置2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1260pF @ 15V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态停产/老旧
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A
Power - Max39W, 100W

机械

Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-PowerPair® (6x5)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)