SIZ710DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ710DT-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR

已停产6-PowerPair™模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 19A, 10V
基础料号SIZ710
配置2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds820pF @ 10V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态Last Time Buy
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A, 35A
Power - Max27W, 48W

机械

Package / Case6-PowerPair™
供应商器件封装6-PowerPair™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)