SIZ346DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ346DT-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8PWR33

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
基础料号SIZ346
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 15V, 650pF @ 15V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列PowerPAIR®, TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc), 30A (Tc)
Power - Max16W, 16.7W

机械

Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-Power33 (3x3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)