SIUD412ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIUD412ED-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806

在产PowerPAK® 0806模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21 pF @ 6 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Tc)
最大功耗1.25W (Ta)

机械

Package / CasePowerPAK® 0806
供应商器件封装PowerPAK® 0806

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)