SIUD403ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIUD403ED-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806

在产PowerPAK® 0806模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds31 pF @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET® Gen III
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
最大功耗1.25W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 0806
供应商器件封装PowerPAK® 0806

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)