SISS70DN-T1-GE3

Name: SISS70DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK

在产PowerPAK® 1212-8S模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	29.8mOhm @ 8.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	535 pF @ 62.5 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

漏源电压	125 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.5A (Ta), 31A (Tc)
最大功耗	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)