SISHA18ADN-T1-GE3

Name: SISHA18ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

在产PowerPAK® 1212-8SH模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1650 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Ta), 60A (Tc)
最大功耗	3.5W (Ta), 26.5W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)