SISF04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISF04DN-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8

在产PowerPAK® 1212-8SCD模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 7A, 10V
基础料号SISF04
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 15V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET® Gen IV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta), 108A (Tc)
Power - Max5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

机械

Package / CasePowerPAK® 1212-8SCD
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8SCD

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)