SISA66DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA66DN-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

在产PowerPAK® 1212-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3014 pF @ 15 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态在产
系列TrenchFET® Gen IV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
最大功耗52W (Tc)

机械

Package / CasePowerPAK® 1212-8
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)