SIS890ADN-T1-GE3

Name: SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK

在产PowerPAK® 1212-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.5mOhm @ 10A, 10V
基础料号	SIS890
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1330 pF @ 50 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
最大功耗	3.6W (Ta), 39W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)