SIS439DNT-T1-GE3

Name: SIS439DNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

停产/老旧PowerPAK® 1212-8S模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 14A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2135 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
最大功耗	3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

工作温度	-50°C~150°C(TJ)