SIRA90ADP-T1-GE3

Name: SIRA90ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAK

已停产PowerPAK® SO-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.78mOhm @ 20A, 10V
基础料号	SIRA90
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9120 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Discontinued at
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

漏源电压	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	71A (Ta), 334A (Tc)
最大功耗	6.3W (Ta), 104W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)