SIR692DP-T1-RE3

Name: SIR692DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1405 pF @ 125 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	ThunderFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24.2A (Tc)
最大功耗	104W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)