SIR632DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR632DP-T1-RE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs34.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds740 pF @ 75 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列ThunderFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Tc)
最大功耗69.5W (Tc)

机械

Package / CasePowerPAK® SO-8
供应商器件封装PowerPAK® SO-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)