SIR622DP-T1-GE3

Name: SIR622DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.7mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1516 pF @ 75 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	ThunderFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

漏源电压	150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	51.6A (Tc)
最大功耗	104W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)