SIJA22DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJA22DP-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.74mOhm @ 20A, 10V
基础料号SIJA22
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 15 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Ta), 201A (Tc)
最大功耗4.8W (Ta), 48W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
供应商器件封装PowerPAK® SO-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)