SIHJ10N60E-T1-GE3

Name: SIHJ10N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	784 pF @ 100 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	E
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
最大功耗	89W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)