SIHH28N60E-T1-GE3

Name: SIHH28N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	98mOhm @ 14A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2614 pF @ 100 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
包装	Bulk
产品状态	在产
系列	E
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Tc)
最大功耗	202W (Tc)

Package / Case	8-PowerTDFN
供应商器件封装	PowerPAK® 8 x 8

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)