SIHH11N65EF-T1-GE3

Name: SIHH11N65EF-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	382mOhm @ 6A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1243 pF @ 100 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
最大功耗	130W (Tc)

Package / Case	8-PowerTDFN
供应商器件封装	PowerPAK® 8 x 8

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)