SIHD9N60E-GE3

Name: SIHD9N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	368mOhm @ 4.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	778 pF @ 100 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
包装	Tube
产品状态	在产
系列	E
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
最大功耗	78W (Tc)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	TO-252AA

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)