SIE844DF-T1-E3

Vishay Siliconix

SIE844DF-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK

停产/老旧10-PolarPAK® (U)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 12.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2150 pF @ 15 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44.5A (Tc)
最大功耗5.2W (Ta), 25W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case10-PolarPAK® (U)
供应商器件封装10-PolarPAK® (U)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)