SIE812DF-T1-E3

Name: SIE812DF-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK

在产10-PolarPAK® (L)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8300 pF @ 20 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
最大功耗	5.2W (Ta), 125W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)