SIE804DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE804DF-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK

停产/老旧10-PolarPAK® (LH)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 7.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3000 pF @ 50 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Tc)
最大功耗5.2W (Ta), 125W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case10-PolarPAK® (LH)
供应商器件封装10-PolarPAK® (LH)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)