SIDR626DP-T1-GE3

Name: SIDR626DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5130 pF @ 30 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
系列	TrenchFET® Gen IV
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	42.8A (Ta), 100A (Tc)
最大功耗	6.25W (Ta), 125W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® SO-8
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8DC

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)