SIB800EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB800EDK-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6

停产/老旧PowerPAK® SC-75-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs225mOhm @ 1.6A, 4.5V
基础料号SIB800
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列LITTLE FOOT®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)
最大功耗1.1W (Ta), 3.1W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-75-6
供应商器件封装PowerPAK® SC-75-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)