SIB452DK-T1-GE3

Name: SIB452DK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75

在产PowerPAK® SC-75-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	135 pF @ 50 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	190 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)
最大功耗	2.4W (Ta), 13W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)