来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
|---|---|
| 基础料号 | SIB422 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | TrenchFET® |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| 漏源电压 | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A (Ta), 9A (Tc) |
| 最大功耗 | 2.5W (Ta), 13W (Tc) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-75-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
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