SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA850DJ-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK

停产/老旧PowerPAK® SC-70-6 Dual模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 100 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列LITTLE FOOT®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

电气

漏源电压190 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA (Tc)
最大功耗1.9W (Ta), 7W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商器件封装PowerPAK® SC-70-6 Dual

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)