SIA817EDJ-T1-GE3

Name: SIA817EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6

在产PowerPAK® SC-70-6 Dual模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature	Schottky Diode (Isolated)
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	LITTLE FOOT®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
最大功耗	1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)