SIA485DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA485DJ-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

在产PowerPAK® SC-70-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds155 pF @ 75 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Tc)
最大功耗15.6W (Tc)

机械

Package / CasePowerPAK® SC-70-6
供应商器件封装PowerPAK® SC-70-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)