SIA456DJ-T3-GE3

Name: SIA456DJ-T3-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

在产PowerPAK® SC-70-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 100 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA

漏源电压	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
最大功耗	3.5W (Ta), 19W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)