SIA406DJ-T1-GE3

Name: SIA406DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

停产/老旧PowerPAK® SC-70-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1380 pF @ 6 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR)
产品状态	停产/老旧
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
最大功耗	3.5W (Ta), 19W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
供应商器件封装	PowerPAK® SC-70-6

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)