SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 4.8A, 4.5V
基础料号SI9933
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds665pF @ 10V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max3.1W

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-50°C ~ 150°C (TJ)