通用
| 基础料号 | SI8900 |
|---|---|
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | TrenchFET® |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Power - Max | 1W |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 10-UFBGA, CSPBGA |
| 供应商器件封装 | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|