SI8819EDB-T2-E1

Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT

在产4-XFBGA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1.5A, 3.7V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 6 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA

漏源电压	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 3.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
最大功耗	900mW (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)