SI8809EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8809EDB-T2-E1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

停产/老旧4-XFBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 1.5A, 4.5V
基础料号SI8809
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 8 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.94 (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA
供应商器件封装4-Microfoot

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)